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中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào)雜志 北大期刊 CSCD期刊 統(tǒng)計(jì)源期刊

主管單位：中國(guó)科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)  主辦單位：中國(guó)電機(jī)工程學(xué)會(huì)

半月刊  審稿周期：預(yù)計(jì)1-3個(gè)月  全年訂價(jià)：￥2539.20

《中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào)》由湯涌擔(dān)任主編，創(chuàng)刊于1964年，由中國(guó)科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)主管、中國(guó)電機(jī)工程學(xué)會(huì)主辦的一本電力領(lǐng)域?qū)I(yè)期刊。主要刊載該領(lǐng)域內(nèi)的原創(chuàng)性研究論文、綜述和評(píng)論等，力求及時(shí)、準(zhǔn)確、全面的反映該領(lǐng)域的政策、技術(shù)、應(yīng)用市場(chǎng)及動(dòng)態(tài)。

  • 11-2107/TM 國(guó)內(nèi)刊號(hào)
  • 0258-8013 國(guó)際刊號(hào)
  • 9426 發(fā)文量
  • 3.5 影響因子
  • 263625 總被引量
  • 82-327 郵發(fā)代號(hào)
  • 1964 創(chuàng)刊時(shí)間

中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào)期刊信息

  • 出版語(yǔ)言：中文
  • 創(chuàng)刊時(shí)間：1964年
  • 國(guó)際刊號(hào)：0258-8013
  • 曾用名：電機(jī)工程學(xué)報(bào)
  • 紙張開(kāi)本：A4
  • 國(guó)內(nèi)刊號(hào)：11-2107/TM
  • 出版地區(qū)：北京
  • 發(fā)行周期：半月刊
  • 郵發(fā)代號(hào)：82-327

中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào)期刊榮譽(yù)

中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào)投稿須知

1）引言中研究目的清晰明確，詳細(xì)介紹國(guó)內(nèi)外研究背景，對(duì)現(xiàn)有其他研究者的工作進(jìn)行正確的評(píng)述；闡述自己的觀點(diǎn)，并對(duì)自己的研究思路做一總體介紹，引言字?jǐn)?shù)不少于1000字；

2）研究設(shè)計(jì)和方法敘述清楚，數(shù)據(jù)合理并被正確地分析和解釋?zhuān)槐容^所提出的方法和現(xiàn)有方法的優(yōu)缺點(diǎn)；

3）重點(diǎn)突出，論述嚴(yán)謹(jǐn)，文字簡(jiǎn)練，避免長(zhǎng)篇公式推導(dǎo)(必要的推導(dǎo)可列入附錄)，字?jǐn)?shù)以不超過(guò)8000字(包括圖表)為宜；

4）來(lái)稿請(qǐng)用Word排版，格式盡量與《中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào)》一致；

5）請(qǐng)寫(xiě)明第一作者的出生年、性別、籍貫（具體到省市）、學(xué)歷、研究方向、郵件地址、手機(jī)號(hào)等。

中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào)編輯部聯(lián)系方式

地址：北京清河小營(yíng)東路15號(hào)中國(guó)電力科學(xué)研究院有限公司

郵編：100085

主編：湯涌

中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào)發(fā)文選摘

  • 1、2020年《中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào)》征訂單

    作者：--

  • 2、碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)綜述及展望

    作者：盛況; 董澤政; 吳新科

  • 3、MPS結(jié)構(gòu)SiC二極管場(chǎng)路耦合建模及多速率電熱聯(lián)合仿真分析

    作者：賈英杰; 肖飛; 段耀強(qiáng); 羅毅飛

  • 4、不同雪崩沖擊模式下SiC MOSFET的失效機(jī)理

    作者：李輝; 鐘懿; 王少剛; 于仁澤; 陳顯平; 姚然; 王曉; 龍海洋

  • 5、包含SiC/SiO2界面電荷的SiC MOSFET的SPICE模型

    作者：周郁明; 蔣保國(guó); 劉航志; 陳兆權(quán); 王兵

  • 6、基于開(kāi)關(guān)能量均衡的并聯(lián)碳化硅MOSFET芯片篩選

    作者：孫鵬; 趙志斌; 蔡雨萌; 余秋萍; 柯俊吉; 崔翔; 楊霏; 李金元

  • 7、電動(dòng)汽車(chē)用高功率密度碳化硅電機(jī)控制器研究

    作者：張棟; 范濤; 溫旭輝; 寧圃奇; 李磊; 邰翔李曄; 段卓琳; 何國(guó)林; 張少昆; 鄭丹

  • 8、一種適用于三相碳化硅逆變器的新型PWM策略

    作者：徐軍忠; 查曉宇; 王勇; 韓靜文; 唐厚君

  • 9、三重移相調(diào)制下DAB變換器全功率范圍統(tǒng)一ZVS控制策略

    作者：邵持; 童安平; 錢(qián)語(yǔ)安; 杭麗君; 何遠(yuǎn)彬; 李國(guó)杰; 曾平良; 吳秋偉

  • 10、寬輸入電壓雙有源橋變換器電流有效值最小控制方法研究

    作者：費(fèi)躍; 李若愚; 雷園; 舒澤亮

中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào)期刊評(píng)價(jià)分析

年發(fā)文量和被引次數(shù)
影響因子和立即指數(shù)

中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào)期刊評(píng)價(jià)報(bào)告

年份 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022
被引次數(shù) 17112 19140 23300 25079 27619 27767 27347 27310 27764 29359
影響因子 1.89 2.21 2.91 3.15 3.43 3.21 3.23 3.3 4.32 4.88
立即指數(shù) 0.22 0.16 0.36 0.34 0.32 0.43 0.36 0.69 1.11 1.06
發(fā)文量 852 789 747 755 768 784 740 778 773 801
被引半衰期 5.91 6.04 5.7 5.47 5.42 5.55 5.69 5.67 5.33 5.06
引用半衰期 4.83 5.09 4.74 4.28 4.44 4.66 4.79 4.54 3.89 3.92
期刊他引率 0.83 0.84 0.84 0.86 0.88 0.89 0.89 0.88 0.84 0.86
平均引文率 20.1 25.4 24.6 30.8 34.9 29.3 28.1 29.7 34 32.5

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免責(zé)聲明

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